앞으로 특허 출원 과정에서 허위 실험 자료를 작성하거나 타인의 기술을 몰래 베껴 출원하는 행위가 적발되면 특허 전체가 무효 처리되고, 형사처벌까지 받게 된다. 지식재산처는 7월 21일 이러한 내용을 담은 '비정상적 출원행위 제재 관련 법·제도 정비 방안'을 발표했다.
이번 대책은 특허 제도의 신뢰성을 심각하게 훼손하는 사례들이 잇따라 발생한 데 따른 것이다. 실제로 A사는 가짜 실험 자료를 특허 명세서에 기재해 특허를 등록받은 뒤 침해 소송을 제기했다. 소송 과정에서 허위 사실이 드러났지만, 기존 법 체계에서는 허위 기재 부분만 삭제하면 특허권을 유지할 수 있었다. B사는 타인의 기술 자료를 자신의 것처럼 명세서를 작성해 특허를 출원·등록한 후 침해 소송을 제기했고, 피소 기업은 막대한 소송 비용 부담으로 합의금을 지불해야 했다. C사는 기계 장치 발명을 출원하면서 화학 조성물을 단순 부가해 특허를 획득한 뒤 홍보용이나 입찰용으로 활용하는 편법을 쓰기도 했다.
지식재산처는 이러한 문제를 해결하기 위해 우선 특허법에 '신의성실 준수 원칙'을 신설하기로 했다. 현재는 허위 실험 자료를 작성해 심사관을 속여 특허를 등록받더라도 문제가 발생하면 해당 부분만 삭제하면 특허를 유지할 수 있었다. 하지만 앞으로는 명세서에 허위 자료가 포함된 사실이 발견되면 정정을 불허하고 특허 전체를 무효로 할 수 있는 방안을 마련할 예정이다. 또한 신의성실 원칙을 위반한 특허 출원으로 의심되는 경우에는 거절 이유를 통지하고, 출원인이 정당한 출원임을 스스로 입증하도록 하는 절차도 도입된다.
현행 특허법의 '거짓행위의 죄' 규정도 대폭 정비된다. 현행 규정은 '거짓이나 그 밖의 부정한 행위'로 '특허결정을 받은 자'를 처벌하도록 하고 있으나, 대상 행위가 모호하고 처벌 대상이 협소하다는 한계가 있었다. 예를 들어 잘 알려지지 않은 타인의 발명을 베껴 특허를 출원해도 그 행위 자체가 '거짓이나 그 밖의 부정한 행위'에 해당하는지 불분명해 특허는 무효가 돼도 행위자는 처벌받지 않는 경우가 많았다. 처벌 대상도 '특허결정을 받은 자'로 한정돼 있어 기술 자료를 도용해 출원해도 특허결정만 되지 않으면 처벌할 수 없는 문제가 있었다.
개정안에서는 처벌 가능한 행위 유형을 구체화하고, 특허결정을 받지 못하더라도 거짓행위를 반복하는 경우에는 처벌할 수 있도록 할 계획이다. 형량도 현행 '3년 이하 징역 또는 3천만원 이하 벌금'에서 '5년 이하 징역 또는 5천만원 이하 벌금'으로 강화해 형법상 공무집행방해죄 수준으로 높이기로 했다.
심사관을 속여 특허를 받기 위한 편법적 출원도 차단된다. 주요 구성이 기계 장치임에도 이와 무관한 화학 코팅 기술을 단순 부가해 마치 복합 기술인 것처럼 꾸미는 사례가 대표적이다. 지식재산처는 이러한 편법 특허출원이 의심되는 경우 기술 분야별 심사관이 함께 심사하는 '자문형 협업 심사'를 도입해 사전에 차단할 예정이다. 만약 편법 특허가 이미 등록된 경우에는 해당 기술 분야에 전문성이 있는 다른 심사관과 협력해 직권으로 무효심판을 청구할 계획이다.
심사관이 직권으로 무효심판을 청구할 때 소송 부담을 덜어주기 위한 장치도 마련된다. 현재는 무효심판을 청구한 심사관이 특허법원에서의 취소소송까지 직접 대응해야 했지만, 앞으로는 소송 전문 담당관이 전담 대응하도록 제도를 개선한다. 이를 통해 심사관이 보다 적극적으로 직권 무효심판 제도를 활용할 수 있을 것으로 기대된다.
정연우 지식재산처 차장은 "부정하게 특허를 획득하려는 행위는 지식재산 행정의 신뢰를 무너뜨리는 심각한 결과를 초래한다"며 "꼼수 특허를 걸러내고 정직한 발명자와 기업의 '진짜 기술'이 정당하게 보호받을 수 있는 환경을 만들겠다"고 밝혔다.
지식재산처는 오는 7월까지 연구용역을 진행하고, 9월까지 특허법 개정안을 마련한 뒤 입법 절차를 추진할 계획이다.
